Quais saio as principais diferenças entre as curvas caracteristicas de coletor de um TBJ e as curvas características de dreno de um JFET? Compare as unidades de cada eixo com a variável de controle. Como
reage a um aumento de
versus mudanças em
a um aumento negativo de
? Compare o espaçamento entre as curvas de
com o das curvas de
. Compare
com
na definição da região nāo linear para niveis baixos de tensão de saida.
Passo 1
O enunciado pede uma comparação qualitativa entre as curvas características de saída (coletor) de um transistor bipolar de junção (TBJ) e as curvas características de saída (dreno) de um transistor de efeito de campo de junção (JFET), abordando
– as unidades e as variáveis de controle de cada eixo;
– como varia quando aumentamos
comparado a como
varia com um aumento negativo de
;
– o espaçamento entre as curvas de versus o de
;
– e a comparação entre e
na definição da região não linear em baixas tensões de saída.
– as unidades e as variáveis de controle de cada eixo;
– como
– o espaçamento entre as curvas de
– e a comparação entre
Passo 2
Comparação dos eixos e da variável de controle
Para o TBJ, nas curvas de saída temos
eixo horizontal: tensão coletor-emissor (em volts)
eixo vertical: corrente de coletor (em ampères)
variável de controle: corrente de base (em ampères)
Para o TBJ, nas curvas de saída temos
eixo horizontal: tensão coletor-emissor
eixo vertical: corrente de coletor
variável de controle: corrente de base
Para o JFET, nas curvas de saída temos
eixo horizontal: tensão dreno-fonte (em volts)
eixo vertical: corrente de dreno (em ampères)
variável de controle: tensão porta-fonte (em volts)
eixo horizontal: tensão dreno-fonte
eixo vertical: corrente de dreno
variável de controle: tensão porta-fonte
Passo 3
Resposta de
a aumento de
versus resposta de
a aumento negativo de
No TBJ, em região ativa aproximamos
No TBJ, em região ativa aproximamos
então um pequeno aumento de
provoca um aumento proporcional de
(curvas deslocam-se para cima de modo quase uniforme).
No JFET, um aumento negativo de “estreita” o canal, reduz a condutância e abaixa
de forma não linear: cada passo de
negativo reduz
mais fortemente à medida que nos aproximamos da tensão de pinçamento
.
No JFET, um aumento negativo de
Passo 4
Comparação do espaçamento entre as curvas de
e de
Para o TBJ, costuma-se traçar curvas com variando em passos constantes (por exemplo,
,µA,
,µA,
,µA …), resultando em curvas praticamente paralelas e espaçadas uniformemente em
.
No JFET, usa-se em passos fixos (por exemplo,
,V,
,V,
,V …), mas o efeito sobre
não é uniforme: as curvas se comprimem conforme
se aproxima de
, criando espaçamentos cada vez menores em
.
Para o TBJ, costuma-se traçar curvas com
No JFET, usa-se
Passo 5
Comparação de
e
na região não linear em baixas tensões de saída
No TBJ, a região não linear (saturação) aparece quando
No TBJ, a região não linear (saturação) aparece quando
abaixo da qual o transistor “fecha” e
cai abrupto.
No JFET, a região não linear (zona óhmica) ocorre quando
No JFET, a região não linear (zona óhmica) ocorre quando
e o valor de
(pinch-off, tipicamente
a
,V) é bem maior em módulo que
. Assim, o “joelho” do JFET fica em tensões de saída muito mais elevadas do que no TBJ.
Resposta
Eixos e controle: TBJ usa
controlado por
; JFET usa
controlado por
.
Variação de corrente: em TBJ dá deslocamento uniforme; em JFET
cai não linearmente com
negativo.
Espaçamento de curvas: TBJ tem curvas quase paralelas e uniformemente espaçadas em ; JFET tem espaçamento em
decrescente conforme
.
Tensão de “joelho”: –
,V no TBJ versus
–
,V no JFET.
Variação de corrente: em TBJ
Espaçamento de curvas: TBJ tem curvas quase paralelas e uniformemente espaçadas em
Tensão de “joelho”: