Explicar a diferença entre os seguintes tipos de memória ROM:
Flash
Flash
Passo 1
O enunciado pede para entender onde a memória Flash se encaixa dentro das várias memórias ROM regraváveis (PROM, EPROM, EEPROM etc.) e quais são as diferenças principais em relação a essas outras tecnologias. Para isso vamos revisar brevemente como funcionam cada uma delas e então destacar as características específicas da Flash.
Passo 2
Memórias ROM programáveis nasceram para permitir gravar dados após a fabricação do chip, porém cada geração melhorou a facilidade de reprogramação e a granularidade de apagamento:
– PROM (Programmable ROM): gravação única, feita com corrente alta em fusíveis internos. Uma vez “programada” não pode ser apagada.
– EPROM (Erasable PROM): usa uma célula de porta flutuante; para apagar todo o chip, expõe-se à luz UV por alguns minutos. A gravação e apagamento são relativamente lentos e só se faz no chip retirado do soquete.
– EEPROM (Electrically Erasable PROM): também usa porta flutuante, mas a remoção de carga é elétrica e pode ser feita por byte ou palavra, sem necessidade de UV e com o chip no circuito. Os ciclos de programação são limitados ( ciclos).
– PROM (Programmable ROM): gravação única, feita com corrente alta em fusíveis internos. Uma vez “programada” não pode ser apagada.
– EPROM (Erasable PROM): usa uma célula de porta flutuante; para apagar todo o chip, expõe-se à luz UV por alguns minutos. A gravação e apagamento são relativamente lentos e só se faz no chip retirado do soquete.
– EEPROM (Electrically Erasable PROM): também usa porta flutuante, mas a remoção de carga é elétrica e pode ser feita por byte ou palavra, sem necessidade de UV e com o chip no circuito. Os ciclos de programação são limitados (
Passo 3
A memória Flash é um tipo especial de EEPROM que foi otimizado para aumentar a densidade, a velocidade de apagamento e reduzir custo. As suas duas principais variantes são:
– NOR-Flash: permite acesso aleatório de leitura e escrita semelhantes a uma ROM tradicional, mas o apagamento ocorre por blocos de tamanho fixo (por exemplo, 64 kB).
– NAND-Flash: otimizada para gravação sequencial em blocos maiores (por exemplo, 128 kB), com acesso aleatório de leitura, mas não permite leitura direta de bytes isolados tão eficientemente quanto a NOR.
– NOR-Flash: permite acesso aleatório de leitura e escrita semelhantes a uma ROM tradicional, mas o apagamento ocorre por blocos de tamanho fixo (por exemplo, 64 kB).
– NAND-Flash: otimizada para gravação sequencial em blocos maiores (por exemplo, 128 kB), com acesso aleatório de leitura, mas não permite leitura direta de bytes isolados tão eficientemente quanto a NOR.
Passo 4
Principais diferenças da Flash em relação à EEPROM “clássica”:
- Granularidade de apagamento: Flash apaga em blocos (várias dezenas ou centenas de kilobytes), enquanto EEPROM apaga por byte ou palavra.
- Velocidade e densidade: Flash consegue densidades muito maiores (vários gigabits por chip) e apagamentos mais rápidos por bloco.
- Custo: Flash sai mais barata por bit do que EEPROM devido à simplificação da célula e ao esquema de blocos.
- Ciclos de vida: tipicamente Flash suporta cerca de
– ciclos de apagamento/gravação, valor semelhante ou ligeiramente inferior ao de EEPROM.
Resposta
A memória Flash é uma EEPROM em que o apagamento e a programação são feitos em blocos (não por byte), o que permite maior densidade, custo menor e tempos de operação mais rápidos, mas com ciclos de vida limitados e sem a granularidade fina de apagamento que a EEPROM clássica oferece.