Explicar a diferença entre os seguintes tipos de memória ROM:
Flash

Passo 1

O enunciado pede para entender onde a memória Flash se encaixa dentro das várias memórias ROM regraváveis (PROM, EPROM, EEPROM etc.) e quais são as diferenças principais em relação a essas outras tecnologias. Para isso vamos revisar brevemente como funcionam cada uma delas e então destacar as características específicas da Flash.

Passo 2

Memórias ROM programáveis nasceram para permitir gravar dados após a fabricação do chip, porém cada geração melhorou a facilidade de reprogramação e a granularidade de apagamento:
– PROM (Programmable ROM): gravação única, feita com corrente alta em fusíveis internos. Uma vez “programada” não pode ser apagada.
– EPROM (Erasable PROM): usa uma célula de porta flutuante; para apagar todo o chip, expõe-se à luz UV por alguns minutos. A gravação e apagamento são relativamente lentos e só se faz no chip retirado do soquete.
– EEPROM (Electrically Erasable PROM): também usa porta flutuante, mas a remoção de carga é elétrica e pode ser feita por byte ou palavra, sem necessidade de UV e com o chip no circuito. Os ciclos de programação são limitados ( \approx 10^{5} ciclos).

Passo 3

A memória Flash é um tipo especial de EEPROM que foi otimizado para aumentar a densidade, a velocidade de apagamento e reduzir custo. As suas duas principais variantes são:
– NOR-Flash: permite acesso aleatório de leitura e escrita semelhantes a uma ROM tradicional, mas o apagamento ocorre por blocos de tamanho fixo (por exemplo, 64 kB).
– NAND-Flash: otimizada para gravação sequencial em blocos maiores (por exemplo, 128 kB), com acesso aleatório de leitura, mas não permite leitura direta de bytes isolados tão eficientemente quanto a NOR.

Passo 4

Principais diferenças da Flash em relação à EEPROM “clássica”:
  1. Granularidade de apagamento: Flash apaga em blocos (várias dezenas ou centenas de kilobytes), enquanto EEPROM apaga por byte ou palavra.
  2. Velocidade e densidade: Flash consegue densidades muito maiores (vários gigabits por chip) e apagamentos mais rápidos por bloco.
  3. Custo: Flash sai mais barata por bit do que EEPROM devido à simplificação da célula e ao esquema de blocos.
  4. Ciclos de vida: tipicamente Flash suporta cerca de 10^{4} 10^{6} ciclos de apagamento/gravação, valor semelhante ou ligeiramente inferior ao de EEPROM.

Resposta

A memória Flash é uma EEPROM em que o apagamento e a programação são feitos em blocos (não por byte), o que permite maior densidade, custo menor e tempos de operação mais rápidos, mas com ciclos de vida limitados e sem a granularidade fina de apagamento que a EEPROM clássica oferece.

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