Pesquise e determine o nível de E_{g} para GaPe ZnS , dois materiais semicondutores utilizados na prática. Além disso, determine o nome de cada material.

Passo 1

O enunciado pede para encontrarmos a energia de gap E_{g} de dois semicondutores — GaP e ZnS — e também indicarmos o nome químico de cada um. Vamos usar dados típicos à temperatura ambiente ( 300,K) providos em tabelas de propriedades de semicondutores.

Passo 2

Para o fosfeto de gálio (GaP), as tabelas reportam um gap indireto de banda valendo
E_{g}(\mathrm{GaP}) = 2,26\,\mathrm{eV}.
O nome do material é “fosfeto de gálio”.

Passo 3

Para o sulfeto de zinco (ZnS), na forma cúbica (estrutura zincblenda), o valor típico do gap é
E_{g}(\mathrm{ZnS}) = 3,68\,\mathrm{eV}.
O nome do material é “sulfeto de zinco”.

Resposta

GaP (fosfeto de gálio): E_{g} = 2,26\,\mathrm{eV}
ZnS (sulfeto de zinco): E_{g} = 3,68\,\mathrm{eV}

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