Em um dispositivo semicondutor de óxido metálico (MOS), uma fina camada de (densidade - ) é disposta sobre uma pastilha monocristalina de silício. Quantos átomos de Si e quantos átomos de O estão presentes por milímetro quadrado da camada de óxido? Considere que a espessura da camada é de .
Passo 1
Saudações galerinha! Tudo bem?
Vamos juntos resolver mais um exercício?
Bora lá começar então!
Inicialmente teremos que calcular o volume da pastilha de Si. Para isso vamos utilizar a relação:
Onde:
A é área da pastilha
E é espessura da placa
Substituindo os valores vamos obter:
Cuidado com as conversões de unidade. Tranquilo?
Vamos continuar então!
Lembrando que a densidade é massa dividido por volume podemos escrever a relação abaixo:
Isolando a massa:
Substituindo os valores:
Agora vamos encontrar a quantidades de moles em
(massa + 2.[ massa O])
Quase acabando!
Para resolver este exercício vou utilizar a relação:
Onde:
V é o volume da pastilha
Agora vamos substituir todos os valores em nossa relação:
Esse valor que encontramos é o número de átomos do Si, como o números de átomos do oxigênio é o dobro o Si, teremos que o números de átomos do oxigênio será:
Prontinho!
Te vejo na próxima questão!