Enunciado

O material semicondutor básico usado em virtualmente todos os circuitos integrados modernos é o silício. No entanto, o silício tem algumas limitações e restrições. Escreva uma redação comparando as propriedades e as aplicações (e / ou aplicações potenciais) do silício e do arseneto de gálio.

Passo 1

Galerinha do meu Brasil.....

Partiu comparar os semicondutores, vamos lá:

Arseneto de gálio: caríssimo, utilizado em diodos emissores de luz e lasers semicondutores, gap de banda pode ser alterado pela liga, os processos eletrônicos são mais rápidos que no Si devido às maiores mobilidades dos elétrons, a absorção da radiação eletromagnética é maior.

Passo 2

Silício: baratinho, devido à sua estrutura de banda de elétrons, é melhor utilizado em transistores, os processos eletrônicos são lentos devido às baixas mobilidades de elétrons.

Resposta

Arseneto de gálio: caríssimo, utilizado em diodos emissores de luz e lasers semicondutores, gap de banda pode ser alterado pela liga, os processos eletrônicos são mais rápidos que no Si devido às maiores mobilidades dos elétrons, a absorção da radiação eletromagnética é maior.

Silício: baratinho, devido à sua estrutura de banda de elétrons, é melhor utilizado em transistores, os processos eletrônicos são lentos devido às baixas mobilidades de elétrons.

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Descreva sucintamente os movimentos dos elétrons e dos buracos em uma junção p → n para os fluxos para frente e reverso; em seguida, explique como esses movimentos levam à retificação.
Cite as diferenças de operação e das aplicações dos transistores de junção e dos MOSFET.
Explique com suas próprias palavras, mecanismo pelo qual a capacidade de armazenamento de cargas é aumentada pela inserção de um material dielétrico entre as placas de um capacitor.
Considere um capacitor de placas paralelas, que tem uma área de 2500 mm e uma separação entre as placas de 2 mm, com um material que tem uma constante dielétrica de 4,0 posicionado entre as placas. (b
Considere um capacitor de placas paralelas, que tem uma área de 2500 mm e uma separação entre as placas de 2 mm, com um material que tem uma constante dielétrica de 4,0 posicionado entre as placas. (a