Enunciado

Um time de semicondutor n, é sabido por ter uma concentração de elétrons de 3 × 1 0 18 m - 3   . Se a velocidade de deriva dos elétrons for 100 m/s em um campo elétrico de 500 V/m, calcular a condutividade deste material.

Passo 1

Okaaay, sem pânico. A condutividade desta matéria inicialmente pode ser computado usando a Equação 18.16. Mas antes que isso seja possível, é necessário calcular o meu valor a partir da Equação 18.7. Assim, a mobilidade dos elétrons é igual a

Assim, a partir da Equação 18.16, a condutividade é,

Resposta

O fator 2 da Equação 18,35a leva em conta a criação de dois portadores de carga (um elétron e um furo) para cada excitação intrínseca de valência-banda de condução; ambos os portadores de carga podem participar do processo de condução.

Ver Outros Exercícios desse livro

Exercícios de Livros Relacionados

Descreva sucintamente os movimentos dos elétrons e dos buracos em uma junção p → n para os fluxos para frente e reverso; em seguida, explique como esses movimentos levam à retificação.
Cite as diferenças de operação e das aplicações dos transistores de junção e dos MOSFET.
Explique com suas próprias palavras, mecanismo pelo qual a capacidade de armazenamento de cargas é aumentada pela inserção de um material dielétrico entre as placas de um capacitor.
Considere um capacitor de placas paralelas, que tem uma área de 2500 mm e uma separação entre as placas de 2 mm, com um material que tem uma constante dielétrica de 4,0 posicionado entre as placas. (b
Considere um capacitor de placas paralelas, que tem uma área de 2500 mm e uma separação entre as placas de 2 mm, com um material que tem uma constante dielétrica de 4,0 posicionado entre as placas. (a