Resolva as questões abaixo admitindo os valores de base da página 3, sempre que tais dados não forem mencionados no enunciado.
Duas regiões de um diodo de silício são dopadas com concentrações de
. Calcule:
a) as concentrações de portadores minoritários em cada região para
.
b) A tensão de barreira.
Duas regiões de um diodo de silício são dopadas com concentrações de
a) as concentrações de portadores minoritários em cada região para
b) A tensão de barreira.
Passo 1
Temos uma junção
em silício a
com concentrações de dopagem
Precisamos calcular:
a) as concentrações de portadores minoritários em cada região usando a lei da ação de massas ;
a) as concentrações de portadores minoritários em cada região usando a lei da ação de massas
b) a tensão de barreira built-in
.
Adotamos os valores típicos para silício a 300 K: e
Adotamos os valores típicos para silício a 300 K:
Passo 2
Usamos a lei da ação de massas em cada lado:
Substituindo
:
Passo 3
Para a tensão de barreira usamos
Calculemos o argumento do logaritmo:
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Resposta
a)
b)
b)