Uma pastilha de silicio cristalino, de de diâmetro e de espessura, é recoberta com um filme fino de arsênio metálico puro (As), que é um dopante semicondutor. A pastilha de silicio recoberta com As é "cozida" em um forno de difusão a para permitir que as moléculas de arsênio se difundam dentro da placa de silicio. A essa temperatura elevada, a solubilidade do arsênio no silício é átomos de e o coeficiente de difusão de As silício sólido é . Inicialmente, existe uma impureza uniforme de arsênio no silício de átomos de . Para obter a propriedade desejada de semicondutor e uma estrutura de um dispositivo microeletrônico, a concentração-alvo dos átomos de arsênio no silicio tem de ser menos de átomos de As/cm na profundidade de junção de . Qual é o tempo de difusão requerido e qual o total de átomos de As que serão carregados no silício
Passo 1
O exercicio pede para determinarmos qual é o tempo de difusão requerido e qual o total de átomos de As que serão carregados no silício