Propriedades eletrônicas são conferidas ao silício cristalino por meio da difusão de uma impureza elementar denominada “dopante” no interior do material a alta temperatura. A 1316 K, o coeficiente de difusão de um dopante particular no silício é 1,0 × 10–13 cm2/s e a 1408 K o coeficiente de difusão aumenta para 1,0 × 10–12 cm2/s. Com base na Tabela 24.7, qual material é um provável candidato a dopante?

Passo 1

Falaaa, pessoal! Como vocês estão?

Bora pra mais uma questãozinha pra exercitar o que a gente sabe sobre transferência de calor e seus fundamentos!

Para a primeira temperatura temos um D a b = 1   x   10 - 17 m 2 / s

Para a segunda, D a b = 1   x   10 - 16   m 2 / s

Nós sabemos que:

D i = D o   e - Q / R T

ln ⁡ D i = ln ⁡ D o   e - Q / R T

Substituindo, teremos que:

D a b = 4,33   x   10 - 17 m 2 / s

E o material mais provável a dopante, segundo a tabela apontada, seria o In.

Resposta

O material mais provável a dopante, segundo a tabela apontada, seria o In.