5- Com base nas propriedades elétricas dos materiais, assinale a questão verdadeira.
a) o emprego do cobre em cabos de transmissão ou conexões elétricas se deve a condutividade elétrica mais alta, proporcional ao aumento da temperatura.
b) um metal amorfo apresenta maior condutividade elétrica comparada a seu análogo cristalino.
c) nos semicondutores do tipo n, para cada e^{-}que é excitado para banda de condução é gerado um buraco eletrônico na banda valência.
d) Os materiais cerâmicos são intrinsicamente isolantes, em função de sua forte ligação iônica, não direcional, não havendo elétrons para vagar livremente pela estrutura.
e) os semicondutores cuja propriedade elétrica é baseada na presença de um estado receptor localizado no gap de energia, imediatamente acima da banda de valência, são ditos intrínsecos

Passo 1

O enunciado pede para identificarmos, dentre cinco afirmações sobre propriedades elétricas de materiais, qual é a verdadeira. O conteúdo envolve condutividade de metais, estrutura cristalina versus amorfa, semicondutores tipo n e p, estados doadores e receptores, e comportamento de cerâmicas como isolantes.

Passo 2

Analisando a alternativa (a): “o emprego do cobre em cabos de transmissão ou conexões elétricas se deve a condutividade elétrica mais alta, proporcional ao aumento da temperatura.”
Metais como o cobre têm condutividade que diminui quando a temperatura aumenta, porque a dispersão dos elétrons cresce. Logo, (a) é falsa.

Passo 3

Analisando (b): “um metal amorfo apresenta maior condutividade elétrica comparada a seu análogo cristalino.”
Num metal amorfo há maior desordem estrutural, o que aumenta espalhamentos de elétrons e reduz a condutividade em comparação ao cristalino. Portanto, (b) é falsa.

Passo 4

Analisando (c): “nos semicondutores do tipo n, para cada \mathrm{e}^- que é excitado para banda de condução é gerado um buraco eletrônico na banda valência.”
No semicondutor tipo n as cargas majoritárias vêm de elétrons liberados por átomos doadores, não de elétrons promovidos da valência. Esses doadores ionizam-se positivamente, mas não geram buracos na banda de valência. Assim, (c) é falsa.

Passo 5

Analisando (d): “os materiais cerâmicos são intrinsicamente isolantes, em função de sua forte ligação iônica, não direcional, não havendo elétrons para vagar livremente pela estrutura.”
Cerâmicas tipicamente têm ligações iônicas fortes e banda proibida larga, de modo que não há portadores livres em condições normais. Logo, são isolantes intrínsecos. Portanto, (d) é verdadeira.

Passo 6

Analisando (e): “os semicondutores cuja propriedade elétrica é baseada na presença de um estado receptor localizado no gap de energia, imediatamente acima da banda de valência, são ditos intrínsecos.”
Estados receptores dentro do gap caracterizam dopagem do tipo p, ou seja, extrínsecos, não intrínsecos. Então (e) é falsa.

Passo 7

Dentre as cinco, apenas a alternativa (d) está correta.

Resposta

(d)

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