em que E g=0,66 \mathrm{eV}.
(a) Calcule n_{i} a 300 K e a 600 K e compare os resultados com os obtidos para o silício no Exemplo 2.1.
(b) Determine as concentrações de elétrons e de lacunas se Ge for dopado com P a uma densidade de 5 \times 10 \mathrm{~cm}^{-3}.
Passo 1
O enunciado dá a concentração intrínseca de portadores em germânio como
com E_{g}=0{,}66 eV e k=8{,}617\times10^{-5} eV/K.
(a) Pede n_{i} em T=300 K e T=600 K e comparação com silício.
(b) Para germânio dopado n–tipo com fósforo a N_{D}=5\times10^{15},cm^{-3}, determinar as concentrações de elétrons e lacunas.