Um JFET com V_{G S(\text { corte })}=-5 \mathrm{~V} está em um circuito onde V_{G S} é ajustado para -2 V . Qual é a tensão de dreno-fonte máxima ( V_{D S(\text { max })} ) permitida para garantir que ele permaneça na região ôhmica? (R: V_{D S}=3 V )

Passo 1

O enunciado nos dá um JFET cujo ponto de corte é V_{GS(\text{corte})}=-5\text{ V} e que está ajustado para V_{GS}=-2\text{ V}. Pergunta-se qual é a tensão dreno-fonte máxima V_{DS(\text{max})} para que o transistor permaneça na região ôhmica. O conteúdo aqui é a condição de transição entre região ôhmica e região de saturação (pinch-off) em um JFET.

Passo 2

Sabemos que o JFET fica na região ôhmica enquanto
V_{DS}<V_{DS(\text{sat})},
onde a tensão de saturação (pinch-off) é dada por
V_{DS(\text{sat})}=V_{GS}-V_{GS(\text{corte})}.

Passo 3

Substituindo os valores fornecidos, temos
V_{DS(\text{sat})}=(-2\text{ V})-(-5\text{ V})=3\text{ V}.

Passo 4

Portanto, para garantir que o JFET permaneça na região ôhmica, deve-se manter
V_{DS}<3\text{ V},
logo a tensão dreno-fonte máxima permitida é 3\text{ V}.

Resposta

V_{DS(\text{max})}=3\text{ V}

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