As seguintes características elétricas foram determinadas para fosfeto de índio (InP) intrínseco e extrínseco do tipo-n em temperatura ambiente:
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Intrínseco |
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Extrínseco (tipo-n) |
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Pede-se para calcular a mobilidade de elétrons e buracos.
Passo 1
Beleza, então o enunciado diz o seguinte: para um cristal de fosfeto de índio (InP) a 300 K (temperatura ambiente) mediram-se a condutividade elétrica σ e as concentrações de elétrons (n) e de lacunas § em dois casos – intrínseco e extrínseco tipo n.
Conteúdo: semicondutores – mobilidade de portadores de carga.
O que precisamos: a relação fundamental
Conteúdo: semicondutores – mobilidade de portadores de carga.
O que precisamos: a relação fundamental
onde
• é a carga elementar.
• e
são as mobilidades de elétrons e buracos.
Com isso teremos duas equações (intrínseca e extrínseca) e duas incógnitas ( ).
•
•
Com isso teremos duas equações (intrínseca e extrínseca) e duas incógnitas (
Passo 2
Escrevendo as duas equações:
intrínseca:
intrínseca:
extrínseca:
Passo 3
Resolver a equação intrínseca para
:
Passo 4
Resolver a equação extrínseca para
(notei que
):
Passo 5
Agora temos o sistema linear:
Subtraindo a primeira da segunda:
e então