Qual a diferença principal do efeito no aumento de
em um MOSFET tipo acumulação e um MOSFET tipo depleção? Por quê?
Passo 1
Beleza, vamos lá! Você perguntou sobre a diferença principal no efeito do aumento de $ V_P $ em um MOSFET do tipo acumulação e um do tipo depleção. Isso envolve entender como esses dois tipos de MOSFETs respondem a mudanças na tensão de porta ($ V_P $). Vamos usar conceitos básicos de dispositivos semicondutores e como a tensão na porta afeta a formação ou remoção de canais condutores.
Passo 2
Primeiro, vamos lembrar o que é um MOSFET. MOSFET significa Metal-Oxido-Semicondutor de Efeito de Campo. Ele tem três terminais principais: porta (gate), dreno (drain) e fonte (source). A tensão aplicada na porta ($ V_P $) controla a condutividade entre dreno e fonte.
Passo 3
Agora, existem dois tipos principais de MOSFETs baseados na maneira como o canal condutor é formado: acumulação e depleção.
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MOSFET de Acumulação: Nesse tipo, quando aplicamos uma tensão na porta, aumentamos a concentração de portadores de carga no canal, ou seja, “acumulamos” mais elétrons ou lacunas, dependendo do tipo de MOSFET (N ou P). Isso aumenta a condutividade.
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MOSFET de Depleção: Aqui, a aplicação de tensão na porta reduz a concentração de portadores no canal, “depletando” o número deles. Isso diminui a condutividade.
Passo 4
Então, quando aumentamos $ V_P $ em cada tipo:
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Acumulação: Aumentar $ V_P $ faz com que mais portadores sejam atraídos para o canal, fortalecendo-o e aumentando a corrente que pode fluir de dreno para fonte.
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Depleção: Aumentar $ V_P $ (dependendo da polaridade) pode retirar portadores do canal, enfraquecendo-o e reduzindo a corrente.
Passo 5
A diferença principal, portanto, é que em um MOSFET de acumulação, aumentar $ V_P $ aumenta a condutividade do canal, enquanto em um MOSFET de depleção, aumentar $ V_P $ reduz a condutividade do canal. Isso acontece porque um tipo acumula portadores com a tensão maior, e o outro depleta portadores com a tensão maior.
Resposta
A principal diferença é que ao aumentar $ V_P $, um MOSFET de acumulação aumenta a condutividade do canal por acumular mais portadores, enquanto um MOSFET de depleção reduz a condutividade ao depletar portadores no canal. Isso ocorre porque a tensão na porta fortalece o canal em dispositivos de acumulação e o enfraquece em dispositivos de depleção.