Enunciado

Um método extremamente efetivo para resfriar circuitos integrados de silício com elevada densidade de potência envolve a gravação de microcanais na superfície inferior (sem circuitos) do chip. Os canais são cobertos por uma cobertura de silício e o resfriamento é mantido através da passagem de água pelos canais.

Seja um chip com 10 mm × 10 mm de lado no qual foram gravados cinquenta microcanais retangulares com 10 mm de comprimento, cada um com largura W = 50 μm e altura H = 200 μm. Considere condições operacionais nas quais água entra em cada microcanal a uma temperatura de 290 K e a uma vazão de 10 - 4 kg/s, enquanto o chip e a cobertura se encontram a uma temperatura uniforme de 350 K. Considerando escoamento plenamente desenvolvido nos canais e que todo o calor dissipado pelos circuitos seja transferido para a água, determine a

temperatura de saída da água e a potência dissipada pelo chip. As propriedades da água podem ser estimadas a 300 K.

Passo 1

Beleza! Vamos começar esse exercício assumindo a temperatura média da água no interior do canal de 300 K, dessa forma, teremos T - m = 300   K , com isso vamos recorrer à tabela A.6 do apêndice A para pegar as propriedades da água nessa temperatura, então teremos:

c p = 4179   J / k g . K

μ = 855.10 - 6   k g / s . m

k = 0,613   W / m . K

P r = 5,83

Agora nós vamos calcular o diâmetro hidráulico dos microcanais, que será dado por:

D h = 4 H . W 2 H + W

Substituindo os valores conhecidos, chegamos em:

D h = 4 200.10 - 6 50.10 - 6 2 200.10 - 6 + 50.10 - 6 → D h = 8.10 - 5   m

Agora, com o diâmetro hidráulico, vamos calcular o número de Reynolds, que será:

R e D = ρ u m D h μ

Sabemos que a vazão mássica pode ser escrita como:

m ˙ = ρ u m A c → ρ u m = m ˙ A c

Substituindo essa expressão na equação para Reynolds e substituindo os valores conhecidos, temos:

R e D = m ˙ D h μ A c = 10 - 4 8.10 - 5 855.10 - 6 50.10 - 6 200.10 - 6 → R e D = 935,7

Passo 2

Com o número de Reynolds encontrado no passo 1, temos que o escoamento é laminar. Com isso, vamos consultar a tabela 8.1 vista nessa seção e apresentada a seguir para obter no número de Nusselt para o escoamento:

Então, precisamos calcular a razão b/a, onde teremos:

b a = H W = 200 50 → b a = 4

E, como temos T s uniforme, então no nosso caso teremos:

N u D = 4,44

Com isso, sabendo que o número de Nusselt se relaciona com o coeficiente convectivo através da seguinte relação:

h = N u D k D h

Substituindo os valores conhecidos, temos:

h = 4,44 0,613 8.10 - 5 → h = 34021,5   W / m 2 . K

Passo 3

Agora, como no nosso caso temos T s constante, iremos utilizar a equação 8.41b vista nesse capítulo, onde temos:

Δ T s a i Δ T e n t = T s - T m , s a i T s - T m , e n t = exp ⁡ - P L h m ˙ c p

Sabendo que o perímetro é dado por:

P = 2 H + 2 W = 2 200.10 - 6 + 2 50.10 - 6 → P = 500.10 - 6   m

Então, substituindo os valores conhecidos na equação de cima, chegaremos em:

350 - T m , s a i 350 - 290 = exp ⁡ - 500.10 - 6 0,01 34021,5 10 - 4 4179

350 - T m , s a i 60 = 0,6656 → T m , s a i = 310,1   K

Agora, com a temperatura de saída, conseguimos encontrar a potência dissipada pelo chip, através do calor trocado com a água, dada por:

q = m ˙ T c p T m , s a i - T m , e n t = N m ˙ c p T m , s a i - T m , e n t

Substituindo os valores conhecidos, temos:

q = 50 10 - 4 4179 310,1 - 290 → q = 419,2   W

Resposta

T m , s a i = 310,1   K

q = 419,2   W

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