Enunciado

Um chip de silício com espessura   L   =   2,5   m m e condutividade térmica k s   =   135   W / ( m   ·   K ) é resfriado pela ebulição de um fluorocarboneto líquido saturado ( T s a t   =   57 ° C ) sobre sua superfície. Os circuitos eletrônicos na parte inferior do chip produzem um fluxo térmico uniforme de q o ' ' =   5   ×   10 4   W / m 2 , enquanto os lados do chip são perfeitamente isolados.

As propriedades do fluorcarboneto saturado são c p , l   =   1100   J / ( k g   ·   K ) ,   h f g =   84.400   J / k g ,   ρ l   =   1619,2   k g / m 3   ,   ρ v   =   13,4   k g / m 3 ,   σ   =   8,1   ×   10 – 3   k g / s 2   ,   μ l   =   440   ×   1 0 – 6   k g / ( m   ·   s )   e   P r l   =   9,01 . Além disso, as constantes da ebulição nucleadas são C s , f =   0,005   e n   =   1,7 .

(a) Em condições de regime estacionário, qual é a temperatura T o na superfície inferior do chip? Se, durante a realização de testes com o chip, q ’ ’ o for aumentado para 90 % do fluxo térmico crítico, qual será o novo valor da temperatura T o em regime estacionário?

(b) Calcule e represente graficamente as temperaturas nas superfícies do chip (superior e inferior) como uma função do fluxo térmico para 0,20   ≤ q ’ ’ o   / q ’ ’ m a x   ≤   0,90 . Se a temperatura máxima admitida no chip é de 80 ° C , qual é o valor máximo permitido para q ’ ’ o ?

Passo 1

Nessa questão nós temos a espessura e condutividade térmica de um chip de silício e as propriedades do líquido saturado de fluorocarbono.

Com isso, queremos encontrar a temperatura na superfície inferior do chip para um fluxo de calor prescrito e 90 % de CHF. Então vamos lá!

Passo 2

Para resolver essa questão vamos assumir:

(1) Condições em estado estacionário;

(2) Fluxo de calor uniforme e lados adiabáticos, portanto, condução unidimensional no chip;

(3) Propriedades constantes;

(4) Nucleato em ebulição no líquido.

Os balanços de energia nas superfícies superior e inferior geram,

q o ' ' = q c o n d ' ' = k S T o - T s L = q s ' '

Onde T s e q s ' ' são relacionados pela correlação de Rohsenow,

T s - T s a t = C s , f h f g P r l   n c p , l q s ' ' μ l h f g 1 3 σ g ρ l - ρ v 1 6

Então, para q s ' ' = 5 × 10 4 W / m 2 ,

T s - T s a t = 0,005 × 84400 J k g 9,01 1,7 1 1 00 J k g . K 5 × 10 4 W / m 2 440 × 10 - 6 k g m . s × 84400 J k g 1 3 8,1 × 10 - 3   k g / s 2 9,8 m s 2 1619,2 - 13,4 k g m 3 1 6

T s - T s a t = 15,9 ° C

T s = 15,9 + 57 ° C = 72,9 ° C

Passo 3

Da Lei de Fourier vemos que,

T o = T s + q o ' ' L k s = 72,9 ° C + 5 × 10 4   W / m 2 × 0,0025 m 135 W m . K = 73,8 ° C

Para um fluxo de calor que é 90 % do fluxo crítico de calor ( C 1   =   0,9 ) , temos,

q o ' ' = 0,9 q m a x ' ' = 0,9 × 0,149 h f g ρ v σ g ρ l - ρ v ρ v 2 1 4

q o ' ' = 0,9 × 0,149 ×   84400 J k g × 13,4 k g m 3 8,1 × 10 - 3 N m × 9,8 m s 2 1 619,2 - 13,4 k g m 3 13,4 k g m 3 2 1 4

q o ' ' = 0,9 × 15 , 5 × 10 4 W m 2 = 13,9 × 10 4   W / m 2

Dos resultados do cálculo anterior e da correlação de Rohsenow, temos:

Δ T e = 15,9 ° C q o ' ' 5 × 10 4 W m 2 1 3 = 15,9 ° C 13,9 5 1 3 = 22,4 ° C

Então, T s = 79,4 ° C e,

T o = 79,4 ° C + 13,9 × 10 4 W m 2 × 0,0025 m 135 W m . K = 82 ° C

Resposta

T o = 73,8 ° C

T o = 82 ° C   ( r e g i m e   e s t a c i o n á r i o )

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